神秘顾客新闻

据路透社3月12日报谈，三星筹划禁受SK海力士所禁受的高带宽内存（High Bandwidth Memory，HBM）制造技巧，以期在竞争越来越热烈的HBM竞赛中追逐竞争敌手。

跟着生成式AI的握续火爆，带动了AI芯片需求的爆发，而手脚AI芯片的要津组件的HBM亦然供不应求，除了需求大增以外，HBM出产周期较DDR5更长，投片到产出与封装完成需两个季度以上。据TrendForce资深有计划副总吴雅婷暗意，现在HBM市集主流为HBM3，英伟达现存的H100禁受的是即是HBM3，其中SK海力士是最主要的供应商，然则供应不及应酬举座AI市聚积需，因此在2023年底，三星以1Z nm居品启动加入了英伟达供应链，尽管比重仍小，但仍可视为三星HBM3的进击斩获。

同期，三星亦然AMD的HBM始终进击战略供应伙伴，2024年一季度，三星HBM3居品不息通过了AMD MI300系列的考证，包括8h与12h居品，因此在2024年第一季度后，三星HBM3居品将会迟缓放量。

而英伟达新一代的B100或H200 GPU将会禁受最新的HBM3e，据TrendForce看望骄气，SK海力士、好意思光的HBM3e已先后通过了英伟达的认证，并敲定了HBM3e供应条约之际，三星的HBM3e递交样品时刻较另两家稍晚，于今仍未通过英伟达的质料测试。

另外，神秘顾客网站数名分析东谈主士指出，三星HBM3的良率现在惟一10~20%，SK海力士的HBM3良率却已达到了60~70%。

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分析以为，因为三星坚握使用非导电性胶膜（Non-Conductive. Film，NCF）技巧，因而导致了其HBM濒临一些出产问题，这亦然其程度过期的原因之一。相较之下，SK海力士最初改用批量回流模制底部填充（mass reflow molded underfill，MR-MUF）技巧，经管NCF瑕疵，也成为第一家供应HBM3芯片给英伟达的厂商。

不外，有音问流露，三星最近已下单采购专为MUF联想的芯片制造诞生。别称知情东谈主士说，“三星必须设法普及HBM良率……改为禁受MUF技巧对三星来说有点吞下自爱的意味，因为这代表该公司终究也曾得跟进SK海力士的技巧阶梯。”

音问称，三星正在跟数家材料商盘考，但愿采购MUF材料，当中包括日本厂商——长濑产业株式会社（Nagase）。不外，音问称三星并未完好意思烧毁NCF技巧，而筹划在最新款HBM芯片同期使用NCF、MUF两种技巧。

剪辑：芯智讯-林子神秘顾客新闻